Место рождения: Ленинград.
В семилетнем возрасте был эвакуирован из блокадного Ленинграда в Новосибирск, где получил среднее образование. В 1959 г. окончил Ленинградский университет, работал в Государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова. С 1962 г. – снова в Новосибирске, в Институте физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР: аспирант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией. С 1976 г. – заместитель директора, одновременно – с 1980 по 1990 – начальник СКТБ специальной электроники и аналитического приборостроения. В 1990–1998 гг. – директор ИФП и генеральный директор Объединённого ИФП. Заместитель председателя Сибирского отделения РАН (1991–1999), председатель Объединённого учёного совета по физико-техническим наукам СО РАН (1995–1999). Лауреат премии Совета Министров СССР.
Специалист в области элементной базы, систем восприятия информации и диагностики полупроводниковых структур.
Награждён медалью Д.С. Рождественского. На здании Института физики полупроводников установлена мемориальная доска. Учреждена премия имени К.К. Свиташева для молодых учёных СО РАН за работы в области опто- и наноэлектроники.
Скончался в 1999 (Новосибирск).
Литература:
Российская академия наук. Сибирское отделение : персон. состав, 1957–2007. С. 500–501; Наука в Сибири. 1999. № 8 (февр.). С. 2; http://bsk.nios.ru